2017 y 2018 han sido y están siendo años de muchos cambios a nivel de componentes, una parte que no siempre se percibe en el smartphone final, pero que tiene gran importacia en el día a día de los dispositivos, por motivos de rendimiento y eficiencia. En ese sentido, tras los chips con unidades neurales de procesamiento y el nuevo estándar de almacenamiento UFS 3.0, es el turno de la memoria DRAM LPDDR5.
Samsung ha finalizado el desarrollo de los chips de 8 gigabit (Gb) de LPDDR5 con su proceso de producción más extendido a día de hoy, los 10 nanómetros, tras comenzar la producción de los 16 Gb de GDDR6 en diciembre de 2017 y finalizar el desarrollo de los 16 Gb DDR5 en febrero de este año. Para LPDDR5, Samsung ha realizado cambios importantes en la arquitectura, como por ejemplo duplicar el número de bancos de memoria por cada celda DRAM, de 8 a 16, y todo ello con menor consumo, que será más de la mitad de LPDDR4X en reposo, con una reducción del 30% de media.
Además de en la eficiencia, la clave de esta generación estará, cómo no, en la velocidad. Según Samsung, LPDDR5 alcanzará velocidades de 6.400 megabits por segundo, lo que le hace superar en 1,5 veces la velocidad de la memoria LPDDR4, que en los terminales más modernos alcanzaba 4.266 megabits por segundo. Según Samsung, el nuevo estándar puede enviar 51,2 GB de datos por segundo, o lo que es lo mismo, 14 películas full-HD de 3,7 GB por segundo. Esta primera memoria LPDDR5 con 6.400 megabits por segundo contará con un voltaje de 1,1 V. La capacidad que veremos en smartphones serán 8 GB.
Habrá otra versión de DRAM LPDDR5 que alcance como máximo 5.500 megabits por segundo, con un voltaje reducido a 1,05 V. Los fabricantes podrán elegir cuál de las dos implementar dependiendo de las necesidades enrgéticas y de rendimiento que tengan. A día de hoy, Samsung promociona la DRAM LPDDR5 como medio para mejorar soluciones de aprendizaje automático y del incipiente 5G, que debería llegar esta segunda mitad de año.
