A falta de conocer más detalles y confirmación, el Exynos 8895 de Samsung será el corazón del Samsung Galaxy S8, sucediendo así a los exitosos Exynos 7420 y 8890, que año a año han sido líderes absolutos en potencia y consumo frente a las soluciones de Qualcomm, HiSilicon y Mediatek. De este nuevo modelo se acaba de conocer que existen dos variantes, 8895M y 8895V, con diferencias en potencia y en núcleos en el chip gráfico.
Lo que hará destacar más a la nueva generación de chips, de la que también formará parte el Snapdragon 835, es la litografía que las distintas fábricas emplearán. En este caso, los 10 nanómetros serán los auténticos reyes de 2017. En poco más de dos años se ha pasado de 20 nanómetros a la mitad, algo impresionante. En cuanto a la composición de sus ocho núcleos, los potentes y con mayor consumo energético serán Exynos M2, entre 2.3 y 2.5 GHz y los cuatro de bajo consumo, que utilizarán la arquitectura A53 de ARM que ya lleva dos generaciones en el mercado.
El gran avance puede venir de la mano de la Mali G71, el chip gráfico de ARM con el que espera plantarle cara a las Adreno 540 de Qualcomm y ofrecer un gran rendimiento en contenidos en 4K. Para ello, emplearán 18 y 20 núcleos, dependiendo de la variante. Con soporte para almacenamiento UFS 2.1 y LTE de categoría 16, la competencia lo tendrá muy difícil para superar la propuesta surcoreana.