El Galaxy S, como su propio nombre indica, es el octavo integrante de una larga estirpe de teléfonos móviles diseñados por la empresa surcoreana Samsung. Todos ellos, desde el primer modelo hasta el último, han destacado en múltiples aspectos, aunque en ninguno ha sido tan constante y pionero como en el rendimiento bruto de sus componentes internos.

Desde el primer Galaxy S, Samsung demostró el potencial de sus chips propios, e hizo ver que su camino hacia el éxito estaría marcado por la máxima entrega de potencia por parte de sus teléfonos móviles. Aquel primer modelo contaba con un SoC Hummingbird, cuya CPU mononúcleo de 1 GHz y su GPU PowerVR SGX540 superaban las propuestas de fabricantes como Qualcomm y rivalizaban directamente con el chip A4 de Apple, incluido por la compañía en el iPhone 4. El DAC (digital-to-analog-conversor, empleado para señales de audio) de aquel teléfono, por cierto, estaba firmado por Wolfson y fue muy elogiado por los audiófilos.

El Galaxy S II destacó en el historial de Samsung por ser uno de los teléfonos más completos y mejor construidos de la compañía.

El sistema de ficheros aplicado por Samsung a su teléfono estrella fue el único “traspiés” de la compañía en cuanto a rendimiento se refiere. Afortunadamente, un año más tarde, el Galaxy S II llegaba a las tiendas, y lo hacía con un sistema de ficheros a la altura. Además, llegó con una configuración interna que ningún otro fabricante de la plataforma Android logró equiparar durante aquel momento: Samsung Exynos 4210 y 1 GB de memoria RAM.

El S II no solo superó a los principales teléfonos del momento; también supuso el mayor salto de rendimiento generacional en CPU de los ocho Galaxy S que Samsung ha presentado hasta la fecha: 77% de mejora en rendimiento mononúcleo y 170% de mejora en rendimiento multinúcleo. Nuevamente, solo Apple estaba en la misma batalla que Samsung en números brutos.

Con el Galaxy S III, Samsung continuó su apuesta por los chips propios, pero la necesidad de satisfacer la demanda de teléfonos compatibles con las redes LTE y la complejidad de incorporar un modem compatible en los SoCs Exynos obligó a la compañía a lanzar dos variantes del teléfono: Galaxy S III Snapdragon y Galaxy S III Exynos.

El modelo con Exynos fue el que llegó a Europa, y lo hizo con 1 GB de memoria RAM y un SoC Exynos 4412, cuya CPU elevó el número de núcleos hasta cuatro y la frecuencia del reloj hasta los 1,4 GHz. El modelo Qualcomm, destinado a EE.UU., Canadá y Japón, llegó con un Snapdragon S4 (CPU de doble núcleo) y 2 GB de memoria RAM.

El modelo Exynos del Galaxy S III, nuevamente, superó a las otras variantes y a los principales teléfonos de la primera mitad de 2012. Pero la necesidad de ofrecer LTE obligó a crear dos variantes.

El modelo Exynos superaba en la mayoría de pruebas de rendimiento al modelo Snapdragon S4 —no confundir con el S4 Pro—. Pero la inferioridad en términos de conectividad era evidente. Qualcomm siempre ha sido fuerte en la parte de radio, y eso penalizó a la expansión de la variante Exynos.

La dualidad de modelos ha continuado incluso hasta el Galaxy S7. En algunas ocasiones (Galaxy S6 y Galaxy S7), la apuesta principal se hizo por el modelo Exynos; en otras ocasiones (Galaxy S4 y Galaxy S5), la apuesta principal fue por el modelo con SoC Snapdragon. La dualidad de SoCs permite a Samsung abastecer mejor las necesidades de cada mercado tanto a nivel de demanda de producto como a nivel de conectividad; todo ello sin penalizar la experiencia de uso del teléfono.

En el caso del Galaxy S8 europeo, la apuesta ha sido por el chip Exynos 8895. Sus principales virtudes:

  • CPU. Configuración big.LITTLE, con cuatro núcleos A-53 y cuatro núcleos de diseño propio de Samsung. Para tareas sencillas, el SoC activa los cuatro núcleos A-53; para tareas de alta exigencia, activa los cuatro núcleos de diseño propio de Samsung, los cuales han sufrido varias mejoras respecto al Exynos 8890 del Galaxy S7.

  • GPU. El Galaxy S8 tiene la misma unidad de procesamiento gráfico que el Huawei P10 y el Huawei Mate 9: una Mali-G71. Eso sí, la variante utilizada en el teléfono de Samsung cuenta con veinte núcleos en su interior; la variante del P10 y el Mate 9, en cambio, solo cuenta con ocho núcleos. Este incremento en núcleos convierte al Galaxy S8 en uno de los teléfonos con mejor rendimiento gráfico del momento.

  • 10 nanometros FinFET. El mayor avance del Exynos 8895 llega en su proceso de fabricación. Los diez nanometros FinFET traen bajo el brazo un menor consumo energético, imprescindible para conservar la buena autonomía del Galaxy S8. Samsung afirma que la mejora oscila el 40% respecto al Exynos 8890 del Galaxy S7.

  • Conectividad gigabit. El Exynos 8895 se suma a la moda de la conectividad gigabit y ofrece LTE Categoría 16, capaz de trabajar con un ancho de banda del orden del gigabit por segundo.

El SoC del Galaxy S8 establece un nuevo nivel en cuanto a rendimiento y eficiencia energética se refiere. La CPU, según las pruebas de Geekbench elaboradas por Hipertextual, sitúan este chip por delante de otros como el A10 y el Kirin 960 en tests multinúcleo. En la variante mononúcleo, el chip A10 de Apple continúa su incuestionable hegemonía.

En la parte gráfica, el incremento de núcleos permite al S8 situarse a la par del iPhone 7 Plus, máximo exponente en la gama alta. Otros teléfonos como el P10 o el G6 quedan relegados a una liga completamente diferente. Y eso es una excelente noticia para Samsung.