La memoria magnética de acceso aleatorio (MRAM) es más eficiente y robusta que otros tipos de almacenamiento de datos, y frente a la RAM, es capaz de mantener los datos aunque no esté continuamente recibiendo electricidad. Sin embargo el cambio de bits necesita mucha energía eléctrica como para usarla a nivel práctico en soluciones globales. Tras analizar cómo solventar ese aspecto, un equipo de investigadores de la Universidad Tecnológica de Eindhoven, en los Países Bajos, ha desarrollado una manera de solucionar el problema.
Aprovechando el espín de los electrones, la propiedad por la cual todas las partículas elementales tienen un momento angular intrínseco de valor fijo, la MRAM guarda datos de manera inteligente. ¿Cómo consigue que los datos no se eliminen una vez ha dejado de recibir energía? Es sencillo, ya que como se ha dicho, frente a la RAM tradicional, que usa electricidad, la MRAM utiliza magnetismo. De esta manera, en un ordenador se puede restaurar exactamente todo en el punto en el que estaba, sin necesidad de crear una imagen de estado.
Para que el almacenamiento de datos sea efectivo, es necesario invertir el espín de los electrones en el lado correcto en el material magnético. Se proyectan los bits en distintas direcciones, hacia arriba con un 1 y hacia abajo con un 0, por ejemplo. Normalmente se envía una corriente eléctrica que tiene electrones con la dirección del espín requerida a través del bit. El problema es que para hacer esto se requería, hasta ahora, mucha energía, por lo que se desestimaba.
Con el nuevo sistema se voltean los bits magnéticos más rápido y con una eficiencia energética mucho mayor. Se envía un pulso de corriente bajo el bit que inclina los electrones con el espín adecuado hacia arriba, a través del bit. Con un material antiferromagnético aplicado sobre los bits han logrado hacer más fiable el proceso del volteo, además de conseguir que los costes no se disparen.
