Hace unas semanas Samsung Semiconductor anunció la próxima generación de chips en proceso de fabricación 10nm FinFET, anuncio que llegó apenas unos días después de la implementación de su 14nm FinFET Exynos 7420.
Samsung anunció que el nuevo nodo estaría disponible para entrar en las líneas de producción a finales del próximo año. Kelvin Low, de Samsung Foundry, ha publicado hoy en un vídeo que Samsung ha añadido oficialmente el 10nm FinFET a su roadmap, para los diseñadores de procesadores de aplicaciones móviles, o chips para IoT o electrónica de consumo. Entrará en las líneas de producción a finales de 2016.
Estos chips ofrecerán un drástico cambio en eficiencia energética, reducción de área y menor calor disipado. Es un mensaje a la industria: Samsung será capaz de fabricar diseños de chip en 10nm de forma masiva sin problemas.
Se informó de que Samsung Semiconductors podría alterar su _roadmap_ para provenir que los grandes clientes considerasen los chips de 10nm de TSMC. Se espera que el fabricante de Taiwan se saltase el proceso 14nm y fabricase directamente en FinFET 10nm. Así lo hizo Samsung este año, saltando el proceso de 20nm y presentando el Exynos a 14nm.
