Tras años y años de fabricación de chips, el silicio continúa siendo el material más extendido para su fabricación. Esto es algo que ni siquiera los chips móviles han logrado cambiar. Sin embargo, debido a las demandas de velocidad actuales, para los investigadores es cada vez más difícil continuar evolucionando en lo que respecta a la conexiones eléctricas entre los chips y los sistemas. Por esto, entre otras cosas, la luz está ganando tanto terreno como medio de transmisión, aunque sea, de momento, de forma teórica.
Hasta ahora resultaba muy complicado, pero un grupo de investigadores de la Universidad de Cardiff ha desarrollado un láser semiconductor en oblea de silicio. El láser tiene una longitud de onda de 1300 nanómetros y ha sido diseñado para soportar durante su funcionamiento temperaturas de 120º, con un tiempo de vida estimado de 100000 horas. Para los expertos es un gran paso hacia la fotónica de silicio, que ya ha sido mencionada previamente como uno de los pasos de gigante en tecnología.
De ella se lleva años esperando una gran reducción en consumo energético y, sobre todo, un gran incremento en el ancho de banda, que se acerca a cuellos de botella con los sistemas actuales. Mientras que aún es difícil saber qué aportará claramente, dadas sus ventajas sí se piensa que puede cambiar completamente ciertos aspectos de la informática, la economía digital y sectores como la salud, en el aspecto de la monitorización.
Los desarrolladores lo llaman el santo grial de la fotónica de silicio, y esperan poder producir, dentro de poco, estos láseres integrados con guías de ondas y drivers, que lleven hacia desarrollos mucho más amplios en la integración de la fotónica con el silicio. Lo importante es saber que la fotónica de silicio aportará grandes avances tanto en eficiencia en transmisión de datos, como en velocidad, aspectos en los que se ha investigado durante décadas.
