Tal y como ha ocurrido en otros campos (veáse la memoria RAM DDR4 del Samsung Galaxy S6, uno de los primeros en tenerla), Samsung es una compañía que actualmente es pionera en innovación en lo que a memoria RAM y almacenamiento se refiere. En ese sentido, han anunciado que ha comenzado la producción de chips de memoria de gran ancho de banda de segunda generación, conocidos como HBM2. Con ellas, según la compañía surcoreana se consigue proporcionar una velocidad de 256 GBps.
Los nuevos chips tienen HBM2 DRAM tienen una capacidad de 4 GB, utilizando un proceso de producción de 20 nanómetros y un diseño mejorado HBM. Con ellos se alcanzan las necesidades energéticas, de respuesta y rendimeinto y tamaño que requiere la nueva generación de tarjetas gráficas y sistemas de alto rendimiento. Como vemos debajo, Samsung ha utilizado la tecnología TSV que crea conexiones verticales, lo que permite que el chip sea fabricado en 3 dimensiones, algo que ya habíamos visto con la RAM destinada a soluciones para la nube.
El ancho de banda es el doble al de la anterior generación y supone multiplicar por siete el de la memoria GDDR5, que es hasta ahora el más rápido fabricado. Asimismo, los nuevos chips integran ECC para dar mejor respuesta frente a errores y doblan el ancho de banda por vatio respecto a los de 4Gb-GDDR5.
Por último, la compañía afirma que en este mismo año producirá chips de 8GB HBM2, lo que supondrá a los diseñadores de tarjetas una reducción de más de un 95% frente a GDDR5, por lo que las nuevas tarjetas gráficas de alto rendimiento podrían tener un tamaño final mucho menor.